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STP210N75F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP210N75F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP210N75F6 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP210N75F6 数据手册 (13 页)

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STP210N75F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.003 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

11800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

71 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STP210N75F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP210N75F6 符合标准

STP210N75F6 概述

STP210N75F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.67 MByte

STP210N75F6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.65 MByte

STP210N75F6 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

STP210N75 数据手册

STP210N75F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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