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STP240N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP240N10F7 数据手册 (14 页)

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STP240N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3.2 mΩ

极性

N-CH

功耗

300 W

阈值电压

4.5 V

输入电容

11550 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

108 ns

输入电容值(Ciss)

12600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STP240N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP240N10F7 符合标准

STP240N10F7 海关信息

STP240N10F7 概述