￥ 2.938

STP25NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道500V - 0.11Ω - 22A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 500V - 0.11Ω - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP25NM50N 数据手册 (18 页)

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STP25NM50N 数据手册 (18 页)

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STP25NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

550 V

额定电流

22.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

140 mΩ

极性

N-Channel

功耗

160W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

14.0 A, 22.0 A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

2565pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STP25NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP25NM50N 符合标准

STP25NM50N 海关信息