￥ 42.384

IXFN360N15T2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

N-沟道 150 V 1070 W 715 nC TranchT2 HiperFET 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-227

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN360N15T2 数据手册 (6 页)

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IXFN360N15T2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

输出接口数

1 Output

输出电压

150 V

输出电流

310 A

供电电流

100 A

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

1070 W

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

310A

上升时间

170 ns

输入电容值(Ciss)

47500pF @25V(Vds)

下降时间

265 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1070W (Tc)

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IXFN360N15T2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFN360N15T2 符合标准

IXFN360N15T2 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.17 MByte

IXFN360N15 数据手册

IXFN360N15T2 数据手册

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N-沟道 150 V 1070 W 715 nC TranchT2 HiperFET 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-227

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