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STP30NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP30NM60ND 数据手册 (18 页)

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STP30NM60ND 数据手册 (18 页)

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STP30NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

190W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

2800pF @50V(Vds)

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STP30NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STP30NM60ND 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

STP30NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

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