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STP30NM30N
7.154
STP30NM30N 数据手册 (12 页)
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STP30NM30N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
90 mΩ
极性
N-Channel
功耗
160 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
300 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)

STP30NM30N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

STP30NM30N 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.28 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.29 MByte

STP30NM30 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
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