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STP3NK60Z
0.277
STP3NK60Z 数据手册 (15 页)
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STP3NK60Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
2.40 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.6 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.40 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
311pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

STP3NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP3NK60Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.73 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
34 页 / 0.91 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte

STP3NK60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
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