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STP45N10F7
1.509
STP45N10F7 数据手册 (20 页)
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STP45N10F7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0145 Ω
功耗
60 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
17 ns
输入电容值(Ciss)
1640pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
60 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60W (Tc)

STP45N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP45N10F7 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 1.11 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 1.17 MByte

STP45N10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOS晶体管 N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO-220/TO-220FI POWER MOS TRANSISTOR
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N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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