￥ 3.711

STP45N60DM2AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP45N60DM2AG 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STP45N60DM2AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

250W (Tc)

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

34A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @100V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

STP45N60DM2AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

10.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP45N60DM2AG 符合标准

STP45N60DM2AG 概述

STP45N60DM2AG 数据手册

STP45N60DM2AG 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.3 MByte

STP45N60DM2AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.39 MByte

STP45N60DM2 数据手册

STP45N60DM2AG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号