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STP55NE06 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP55NE06 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STP55NE06 数据手册 (9 页)

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STP55NE06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

漏源极电阻

19.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

130 W

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

55.0 A

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STP55NE06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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STP55NE06 符合标准

STP55NE06 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.22 MByte

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N沟道60V - 0.014ヘ - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET

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N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET

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