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STP80NF03L-04
0.868
STP80NF03L-04 数据手册 (8 页)
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STP80NF03L-04 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
80.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
300 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.004 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
270 ns
输入电容值(Ciss)
5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
95 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STP80NF03L-04 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
175℃ (TJ)

STP80NF03L-04 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.2 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.15 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.19 MByte

STP80NF03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0034欧姆 - 80A TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0034 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF03L-04  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
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