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STP80NF12
1.312
STP80NF12 数据手册 (13 页)
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STP80NF12 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
120 V
额定电流
80.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.013 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
120 V
漏源击穿电压
120 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
145 ns
输入电容值(Ciss)
4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
115 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STP80NF12 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP80NF12 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.51 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.5 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STP80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF12  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF03L-04  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V
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