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STP9NK60ZFP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP9NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 950 mohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP9NK60ZFP 数据手册 (13 页)

原理图在1 页

STP9NK60ZFP 数据手册 (13 页)

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STP9NK60ZFP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.95 Ω

极性

N-Channel

功耗

30 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1110pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

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STP9NK60ZFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP9NK60ZFP 符合标准

STP9NK60ZFP 概述

STP9NK60ZFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 1.1 MByte

STP9NK60ZFP 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STP9NK60ZFP 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.49 MByte

STP9NK60 数据手册

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STMICROELECTRONICS STP9NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 950 mohm, 10 V, 3.75 V

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP9NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V - 0.85ヘ - 7 A - D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 SuperFREDMesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.85 ヘ - 7 A - D2PAK, TO-220FP, TO-220 SuperFREDMesh⑩ Power MOSFET

STP9NK60ZFDFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.85欧姆-7A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK快速二极管超网MOSFET N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET

STP9NK60ZFD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.85欧姆-7A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK快速二极管超网MOSFET N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET

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