Datasheet 搜索 > 二极管阵列 > ST Microelectronics（意法半导体） > STPS20S100CT 数据手册 > STPS20S100CT 数据手册 3/9 页
器件3D模型￥ 1.209
STPS20S100CT 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
二极管阵列
封装:
TO-220-3
描述:
STPS20S100C 系列 100 V 10 A 法兰安装 功率 肖特基 整流器 - TO-220AB
Pictures:
3D模型
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焊盘图
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STPS20S100CT数据手册
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STPS20S100C Characteristics
Doc ID 11281 Rev 2 3/9
Figure 1. Average forward power dissipation
versus average forward current
(per diode)
Figure 2. Average forward current versus
ambient temperature
(δ = 0.5, per diode)
P (W)
F(AV)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
012345678910111213
I (A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 1
δ = 0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0 25 50 75 100 125 150 175
I (A)
F(AV)
I²PAK/TO-220AB
TO-220FPAB
T (°C)
amb
T
δ
=tp/T
tp
R=R
th(j-a) th(j-c)
R =15°C/W
th(j-a)
Figure 3. Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4. Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.10.01 1
0.1
10 100 1000
1
t(µs)
p
P(t)
P(1µs)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25 50 75 100 125 150
P
ARM
(T
j
)
P
ARM
(25°C)
T(°C)
j
Figure 5. Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
Figure 6. Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
I (A)
M
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00
T =25°C
a
T =75°C
a
T =125°C
a
IM
t
δ=0.5
t(s)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00
I (A)
M
T =25°C
a
T =75°C
a
T =125°C
a
IM
t
δ
=0.5
t(s)
TO-220FPAB
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