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STPS41L60CR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
二极管阵列
封装:
TO-262-3
描述:
功率肖特基整流器 POWER SCHOTTKY RECTIFIER
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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应用领域在P12
电气规格在P4
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STPS41L60CR数据手册
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STPS41L60C Characteristics
Doc ID 8616 Rev 6 3/9
Figure 2. Conduction losses versus
average current
Figure 3. Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
P (W)
F(av)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20 25
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ
=tp/T
tp
I (A)
F(av)
I (A)
F(av)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0 25 50 75 100 125 150
R
th(j-a)
=R
th(j-c)
R
th(j-a)
=50 °C/W
T
δ
=tp/T
tp
T (°C)
amb
Figure 4. Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 5. Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.10.01 1
0.1
10 100 1000
1
t (µs)
p
P(t
p
)
P (1 µs)
ARM
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25 50 75 100 125 150
T (°C)
j
P(T
j
)
P (25 °C)
ARM
ARM
Figure 6. Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values)
Figure 7. Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
I (A)
M
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00
Tc=25 °C
Tc=75 °C
Tc=125 °C
I
M
t
δ
=0.5
t(s)
Z/R
th(j-c) th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00
Single pulse
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
p
Copyright STMicroelectronics Company Internal Unauthorized reproduction and communication strictly prohibited
Revision
12
Document
CD00002861
IN APPROVAL
/
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6
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