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STV240N75F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerSO-10

描述:

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STV240N75F3 数据手册 (14 页)

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STV240N75F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

10 Pin

封装

PowerSO-10

漏源极电阻

0.0023 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

75 V

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

6800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

STV240N75F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

9.6 mm

宽度

9.5 mm

高度

3.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

STV240N75F3 符合标准

STV240N75F3 概述

STV240N75F3 数据手册

STV240N75F3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.77 MByte

STV240N75 数据手册

STV240N75F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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