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器件3D模型
¥ 2.296
STW17N62K3 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-247-3
描述:
STMICROELECTRONICS STW17N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15.5 A, 620 V, 0.28 ohm, 10 V, 3.75 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STW17N62K3 数据手册 (17 页)
封装尺寸
在
10 页
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STW17N62K3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.28 Ω
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
620 V
连续漏极电流(Ids)
15.5A
上升时间
29 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
下降时间
62 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190W (Tc)
查看数据手册 >
STW17N62K3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)
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STW17N62K3 符合标准
STW17N62K3 概述
●
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
●
### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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