STW24N60M2

￥ 0.603

STW24N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW24N60M2 数据手册 (22 页)

或点击图片查看大图

STW24N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.168 Ω

极性

N-CH

功耗

150 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

18A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

1060pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

STW24N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW24N60M2 符合标准

STW24N60M2 海关信息

STW24N60M2 概述

STW24N60M2 数据手册

STW24N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.5 MByte

STW24N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.53 MByte

STW24N60M2 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW24N60 数据手册

STW24N60M2 数据手册

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STW24N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V

STW24N60M6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.19 ohm, 10 V

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