￥ 1.245

STP5NK100Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP5NK100Z 数据手册 (15 页)

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STP5NK100Z 数据手册 (15 页)

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STP5NK100Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

3.50 A

封装

TO-220-3

额定功率

125 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3.7 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

1 kV

漏源击穿电压

1.00 kV

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

上升时间

7.7 ns

输入电容值(Ciss)

1154pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STP5NK100Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP5NK100Z 符合标准

STP5NK100Z 海关信息

STP5NK100Z 概述