￥ 6.19

STW26NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STW26NM60ND 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STW26NM60ND 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STW26NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

190 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

14.5 ns

输入电容值(Ciss)

1817pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

27.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

查看数据手册 >

STW26NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STW26NM60ND 符合标准

STW26NM60ND 概述

STW26NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.23 MByte

STW26NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.28 MByte

STW26NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.32 MByte

STW26NM60 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.125ohm - 26A TO- 247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET

STW26NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

STW26NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW26NM60-H 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STW26NM60H 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号