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STW26NM60-H
0.785
STW26NM60-H 数据手册 (9 页)
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STW26NM60-H 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
1800pF @50V(Vds)
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140000 mW

STW26NM60-H 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.71 MByte

STW26NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.125ohm - 26A TO- 247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW26NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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