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STW27NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

600V,21A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW27NM60ND 数据手册 (19 页)

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STW27NM60ND 数据手册 (19 页)

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STW27NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

漏源极电阻

130 mΩ

功耗

160W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STW27NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STW27NM60ND 符合标准

STW27NM60ND 概述

STW27NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.89 MByte

STW27NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.91 MByte

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600V,21A,N沟道MOSFET

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