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STW28N65M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW28N65M2 数据手册 (23 页)

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STW28N65M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

功耗

170 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1440pF @100V(Vds)

下降时间

8.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

170W (Tc)

STW28N65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STW28N65M2 符合标准

STW28N65M2 概述

STW28N65M2 数据手册

STW28N65M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.18 MByte

STW28N65M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.2 MByte

STW28N65M2 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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