￥ 8.946

STW33N60M6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-247

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.125 ohm, 10 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW33N60M6 数据手册 (30 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STW33N60M6 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-247

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.125 Ω

功耗

190 W

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1515pF @100V(Vds)

下降时间

7.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190000 mW

STW33N60M6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

STW33N60M6 符合标准

STW33N60M6 数据手册

STW33N60M6 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW33N60 数据手册

STW33N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW33N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW33N60M6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.125 ohm, 10 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号