器件3D模型

￥ 0.22

SI3441BDV-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP

描述:

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI3441BDV-T1-E3 数据手册 (2 页)

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SI3441BDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOP

漏源极电阻

0.09 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-2.45 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SI3441BDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI3441BDV-T1-E3 符合标准

SI3441BDV-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.05 MByte

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