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STW34NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STW34NM60ND 数据手册 (22 页)

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STW34NM60ND 数据手册 (22 页)

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STW34NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.097 Ω

极性

N-Channel

功耗

190 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

29A

上升时间

53.4 ns

输入电容值(Ciss)

2785pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

210 W

下降时间

61.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STW34NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STW34NM60ND 符合标准

STW34NM60ND 海关信息

STW34NM60ND 概述

STW34NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.23 MByte

STW34NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.12 MByte

STW34NM60ND 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

32 页 / 0.51 MByte

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STMICROELECTRONICS STW34NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V

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