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IRGIB10B60KD1P
1.409
IRGIB10B60KD1P 数据手册 (13 页)
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IRGIB10B60KD1P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
44 W
功耗
44 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
79 ns
额定功率(Max)
44 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
44000 mW

IRGIB10B60KD1P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRGIB10B60KD1P 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRGIB10B60KD1 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Infineon(英飞凌)
IR的IGBT管(全塑封)
International Rectifier(国际整流器)
TO-220AB 整包
Infineon(英飞凌)
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