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STW38N65M5-4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道 650V 30A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW38N65M5-4 数据手册

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STW38N65M5-4 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

TO-247-3

功耗

190 W

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

3000pF @100V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190000 mW

STW38N65M5-4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

STW38N65M5-4 符合标准

STW38N65M5-4 概述

STW38N65M5-4 数据手册

STW38N65M5-4 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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STW38N65 数据手册

STW38N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW38N65M5-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道 650V 30A

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