￥ 1.81

STW40N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STW40N60M2 系列 600 V 0.088 Ohm 法兰安装 N 沟道功率 Mosfet - TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STW40N60M2 数据手册 (23 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页

STW40N60M2 数据手册 (23 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STW40N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

88 mΩ

极性

N-CH

功耗

250 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

34A

上升时间

13.5 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

250 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

查看数据手册 >

STW40N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STW40N60M2 符合标准

STW40N60M2 海关信息

STW40N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.57 MByte

STW40N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.55 MByte

STW40N60 数据手册

STW40N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STW40N60M2 系列 600 V 0.088 Ohm 法兰安装 N 沟道功率 Mosfet - TO-247

STW40N60M2-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号