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STW43NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW43NM60N 数据手册 (12 页)

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STW43NM60N 数据手册 (12 页)

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STW43NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

漏源极电阻

75 mΩ

极性

N-Channel

功耗

255 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

17.5 A

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

255 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

255W (Tc)

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STW43NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STW43NM60N 符合标准

STW43NM60N 概述

STW43NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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