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STW45N60DM2AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

场效应管(MOSFET) STW45N60DM2AG TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW45N60DM2AG 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STW45N60DM2AG 数据手册 (13 页)

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STW45N60DM2AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

250 W

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @100V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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STW45N60DM2AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.15 mm

宽度

15.75 mm

高度

5.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW45N60DM2AG 符合标准

STW45N60DM2AG 概述

STW45N60DM2AG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.28 MByte

STW45N60DM2AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.37 MByte

STW45N60DM2 数据手册

STW45N60DM2AG 数据手册

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场效应管(MOSFET) STW45N60DM2AG TO-247-3

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