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STW45N60DM2AG
5.552
STW45N60DM2AG 数据手册 (13 页)
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STW45N60DM2AG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
250 W
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @100V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

STW45N60DM2AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
20.15 mm
宽度
15.75 mm
高度
5.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW45N60DM2AG 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.28 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.37 MByte

STW45N60DM2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
场效应管(MOSFET) STW45N60DM2AG TO-247-3
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