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STW48N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW48N60DM2 数据手册 (26 页)

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STW48N60DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.065 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

3250pF @100V(Vds)

下降时间

9.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

STW48N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW48N60DM2 符合标准

STW48N60DM2 海关信息

STW48N60DM2 概述

STW48N60DM2 数据手册

STW48N60DM2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

26 页 / 0.29 MByte

STW48N60DM2 产品封装文件

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