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STW52NK25Z
3.561
STW52NK25Z 数据手册 (10 页)
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STW52NK25Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
52.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.033 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
26.0 A
上升时间
75 ns
输入电容值(Ciss)
4850pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
55 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW

STW52NK25Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW52NK25Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.25 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STW52NK25 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V
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