STY60NM60

￥ 8.704

STY60NM60 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道600V - 0.050ohm - 60A MAX247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STY60NM60 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STY60NM60 数据手册 (8 页)

或点击图片查看大图

STY60NM60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

N-Channel

功耗

560 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

95 ns

输入电容值(Ciss)

7300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

560 W

下降时间

76 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

查看数据手册 >

STY60NM60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STY60NM60 符合标准

STY60NM60 海关信息

STY60NM60 概述

STY60NM60 数据手册

STY60NM60 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.28 MByte

STY60NM60 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STY60NM60 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

STY60 数据手册

STY60NK30Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STY60NM50 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STY60NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 50 mohm, 10 V, 4 V

STY60NM60 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.050ohm - 60A MAX247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET

STY60NM50FD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

BSS138L IRLZ44NPBF UCC27517ADBVT C1005X7R1H104K050BB MC33078P BNX026H01L MMBT4401LT1G SN74LVC1G97DCKR

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z