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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SUM45N25-58-E3 Datasheet 文档
SUM45N25-58-E3
2.236
SUM45N25-58-E3 数据手册 (6 页)
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SUM45N25-58-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
0.047 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.75 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
45.0 A
上升时间
220 ns
输入电容值(Ciss)
5000pF @25V(Vds)
下降时间
145 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.75W (Ta), 375W (Tc)

SUM45N25-58-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.41 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm

SUM45N25-58-E3 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.07 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.09 MByte

SUM45N2558 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
N沟道250 -V ( DS ) , 175度Celcious , MOSFET N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N沟道250 -V ( DS ) , 175度Celcious , MOSFET N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道250 -V ( D- S) 175℃ MOSFET N-Channel 250-V (D-S) 175 °C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor
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