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SUP85N10-10 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N沟道100 -V （D -S ） 175 MOSFET N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SUP85N10-10 数据手册 (6 页)

SUP85N10-10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

正向电压

1.00 V

极性

N-CH

功耗

250 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100V (min)

连续漏极电流(Ids)

85A

上升时间

90.0 ns

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SUP85N10-10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

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SUP85N10-10 符合标准

SUP85N10-10 数据手册

VISHAY（威世）

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