￥ 0.331

T55B337M2R5C0035 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

电容

封装:

3528

描述:

VISHAY T55B337M2R5C0035 表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 330 µF, 1411 [3528-21 公制], 0.035 ohm, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

T55B337M2R5C0035 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

T55B337M2R5C0035 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

2.50 V

电容

330 µF

等效串联电阻(ESR)

35 mΩ

容差

±20 %

封装

3528

工作温度(Max)

105 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

额定电压

2.5 V

查看数据手册 >

T55B337M2R5C0035 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

3.5 mm

高度

1.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 105℃

查看数据手册 >

T55B337M2R5C0035 符合标准

T55B337M2R5C0035 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.28 MByte

T55B337M2R5C0035 产品设计参考手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.57 MByte

T55B337M2R5C0035 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

22 页 / 0.6 MByte

T55B337M2R5 数据手册

T55B337M2R5C0035 数据手册

VISHAY（威世）

T55 系列T55 固体钽表面安装片状电容器模制盒、高性能聚合体型超低 ESR 模制外壳，提供 5 个箱代码接线端子：箱 J、P 和 A：100% 锡箱 B 和 T：Ni/Pd/Au 与高容量自动拾放设备兼容湿度敏感性等级 3 去耦、平滑、滤波中的应用；无线卡中的节能存储；基础设施设备；存储和网络；计算机主板；智能手机和平板电脑

T55B337M2R5C0070 数据手册

VISHAY（威世）

钽电容, 330UF, 2.5V, 封装B

T55B337M2R5C0045 数据手册

VISHAY（威世）

钽聚合物电容器, 330 µF, 2.5 V, vPolyTan T55系列, ± 20%, B, 0.045 ohm

T55B337M2R5C0035 数据手册

Vishay Sprague

T55B337M2R5C0035 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY T55B337M2R5C0035 表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 330 µF, 1411 [3528-21 公制], 0.035 ohm, 2.5 V

T55B337M2R5C0025 数据手册