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器件3D模型￥ 4.349
TBD62783AFG,EL 数据手册 - Toshiba（东芝）
制造商:
Toshiba（东芝）
封装:
SOIC-18
描述:
TBD62783AFG,EL 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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TBD62783AFG,EL数据手册
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TBD62783APG/FG/FNG/FWG
2016-05-11
1
TOSHIBA BiCD Integrated Circuit Silicon Monolithic
TBD62783APG, TBD62783AFG, TBD62783AFNG, TBD62783AFWG
8channel source type DMOS transistor array
TBD62783A series are DMOS transistor array with 8
circuits. It has a clamp diode for switching inductive loads
built-in in each output. Please be careful about thermal
conditions during use.
Features
• 8 circuits built-in
• High voltage : V
OUT
= 50 V (MAX)
• High current : I
OUT
= -500 mA
(MAX for each channel)
• Input voltage(output on) : 2.0 V (MIN)
• Input voltage(output off) : 0.6 V (MAX)
• Package : PG type P-DIP18-300-2.54-001
FG type SOP18-P-375-1.27
FNG type
SSOP18-P-225-0.65
FWG type
P-SOP18-0812-1.27-001
Pin connection (top view)
Pin connection may be simplified for explanatory purpose.
TBD62783APG
P-DIP18-300-2.54-001
TBD62783AFG
TBD62783AFNG
TBD62783AFWG
P-SOP18-0812-1.27-001
Weight
P
-DIP18-300-2.54-001 : 1.3g (Typ.)
SOP18
-P-375-1.27 : 0.41g (Typ.)
SSOP18
-P-225-0.65 : 0.09g (Typ.)
P-SOP18-0812-1.27-001
: 0.48g (Typ.)
© 2016 TOSHIBA Corporation
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