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TC58NVG1S3HTAI0
器件3D模型
1.07
TC58NVG1S3HTAI0 数据手册 (65 页)
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TC58NVG1S3HTAI0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
封装
TSOP-48
位数
8 Bit
存取时间
25 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V

TC58NVG1S3HTAI0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

TC58NVG1S3HTAI0 数据手册

Toshiba(东芝)
65 页 / 3.2 MByte
Toshiba(东芝)
52 页 / 0.7 MByte

TC58NVG1S3 数据手册

Toshiba(东芝)
NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Toshiba(东芝)
Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
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