￥ 0.063

ZXMN2B01FTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ZXMN2B01FTA 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZXMN2B01FTA 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

ZXMN2B01FTA 数据手册 (8 页)

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ZXMN2B01FTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

0.806 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.4A

上升时间

3.6 ns

输入电容值(Ciss)

370pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

625 mW

下降时间

10.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625mW (Ta)

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ZXMN2B01FTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

1.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

ZXMN2B01FTA 符合标准

ZXMN2B01FTA 海关信息

ZXMN2B01FTA 数据手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.37 MByte

ZXMN2B01FTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

ZXMN2B01FTA 产品封装文件

Diodes（美台）

8 页 / 0.37 MByte

ZXMN2B01FTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.17 MByte

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晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 0.1 ohm, 4.5 V, 1 V

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Diodes Zetex（捷特科）

N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. ZXMN2B01F 晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 1 V

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