器件3D模型

￥ 1.482

THS4211DRBR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

VSON EP-8

描述:

低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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THS4211DRBR 数据手册 (49 页)

封装尺寸在35 页 37 页 38 页

THS4211DRBR 数据手册 (49 页)

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THS4211DRBR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON EP-8

输出电流

230mA @5V

供电电流

19 mA

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

功耗

2.18 W

共模抑制比

50 dB

输入补偿漂移

40.0 µV/K

转换速率

970 V/μs

增益频宽积

300 MHz

输入补偿电压

3 mV

输入偏置电流

7 µA

可用通道

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

3dB带宽

325 MHz

耗散功率(Max)

2180 mW

共模抑制比(Min)

50 dB

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THS4211DRBR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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THS4211DRBR 符合标准

THS4211DRBR 概述

THS4211DRBR 数据手册

TI（德州仪器）

49 页 / 1.61 MByte

THS4211DRBR 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

17 页 / 0.53 MByte

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5 页 / 0.17 MByte

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