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STD8NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道600 V - 0.56ヘ - 7 A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK封装的第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD8NM60N 数据手册 (19 页)

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STD8NM60N 数据手册 (19 页)

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STD8NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

70W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

560pF @50V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD8NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD8NM60N 符合标准

STD8NM60N 概述