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TIP120G
0.332
TIP120G 数据手册 (13 页)
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TIP120G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
5.00 A
封装
TO-220-3
额定功率
2 W
输出电压
60 V
输出电流
5 A
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
65 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
热阻
62.5℃/W (RθJA)
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
1000
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
65 W
输入电压
2.5 V

TIP120G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
4.83 mm
高度
4.82 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

TIP120G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.59 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

TIP120 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TIP120  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP120  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Multicomp
MULTICOMP  TIP120  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
Motorola(摩托罗拉)
TI(德州仪器)
Central Semiconductor
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
NTE Electronics
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