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￥ 2.39
TIP137 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
STMICROELECTRONICS TIP137 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 1000 hFE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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原理图在P1
技术参数、封装参数在P1
电气规格在P2
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TIP137数据手册
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THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
1.78
63.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
V
CE
= Half Rated V
CEO
0.5 mA
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= Rated V
CBO
0.2 mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
EB
= 5 V 5 mA
V
CEO(sus)
* Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
I
C
= 30 mA
for
TIP135
for
TIP132/TIP137
60
100
V
V
V
CE(sat)
* Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 4 A I
B
= 16 mA
I
C
= 6 A I
B
= 30 mA
2
4
V
V
V
BE
* Base-Emitter Voltage I
C
= 4 A V
CE
= 4 V 2.5 V
h
FE
* DC Current Gain I
C
= 1 A V
CE
= 4 V
I
C
= 4 A V
CE
= 4 V
500
1000 15000
∗
Pulsed: Pulse duration = 300
µ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Power Derating CurveSafe Operating Areas
TIP132 / TIP135 / TIP137
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