TJ15P04M3 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -40V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | -15A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.8~-2.0V 耗散功率Pd Power dissipation | 29W 描述与应用 Description & Applications | 　场效电晶体硅p沟道MOS(U-MOS) 　直流-直流转换器 　台式电脑 　　(1)低漏源极导通电阻:RDS()= 28 mΩ(typ。)(vgs = -10 V) 　　(2)低漏电流:ids = -10μA(max)(VDS = -40 V) 　　(3)增强模式:Vth = -0.8到-2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.1 mA)