￥ 1.922

TK100E10N1,S1X 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

TK100E10N1,S1X 数据手册 (9 页)

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TK100E10N1,S1X 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

255 W

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

8800pF @50V(Vds)

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

255W (Tc)

TK100E10N1,S1X 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

TK100E10N1,S1X 符合标准

TK100E10N1,S1X 数据手册

TK100E10N1,S1X 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

9 页 / 0.24 MByte

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