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TK4A60DB
0.21
TK4A60DB 数据手册 (6 页)
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TK4A60DB 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SC-67
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
3.7A

TK4A60DB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
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TK4A60 数据手册

Toshiba(东芝)
MOS管
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
TOSHIBA  TK4A60DB(STA4,Q)  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.6 ohm, 10 V, 2.4 V
Toshiba(东芝)
场效应管(MOSFET) TK4A60DA(STA4,Q,M) TO-220
Toshiba(东芝)
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