器件3D模型

￥ 0.203

TLC271BIDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

LinCMOS 运算放大器### 运算放大器，Texas Instruments

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TLC271BIDR 数据手册 (85 页)

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TLC271BIDR 数据手册 (85 页)

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TLC271BIDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出电流

≤30 mA

供电电流

950 µA

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

功耗

725 mW

共模抑制比

65 dB

输入补偿漂移

1.80 µV/K

带宽

1.70 MHz

转换速率

3.60 V/μs

增益频宽积

2.2 MHz

输入补偿电压

390 µV

输入偏置电流

0.7 pA

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

增益带宽

1.7 MHz

耗散功率(Max)

725 mW

共模抑制比(Min)

65 dB

电源电压

3V ~ 16V

电源电压(Max)

16 V

电源电压(Min)

4 V

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TLC271BIDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

查看数据手册 >

TLC271BIDR 符合标准

TLC271BIDR 概述

TLC271BIDR 数据手册

TI（德州仪器）

85 页 / 2.17 MByte

TLC271BIDR 用户编程技术手册

TI（德州仪器）

85 页 / 2.19 MByte

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