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TLC271IDR
器件3D模型
0.508
TLC271IDR 数据手册 (85 页)
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TLC271IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出电流
≤30 mA
供电电流
950 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
功耗
725 mW
共模抑制比
65 dB
输入补偿漂移
1.80 µV/K
带宽
1.7 MHz
转换速率
3.60 V/μs
增益频宽积
2.2 MHz
输入补偿电压
1.1 mV
输入偏置电流
0.7 pA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
2.2 MHz
耗散功率(Max)
725 mW
共模抑制比(Min)
65 dB
电源电压
4V ~ 16V

TLC271IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

TLC271IDR 数据手册

TI(德州仪器)
85 页 / 2.17 MByte
TI(德州仪器)
85 页 / 2.19 MByte

TLC271 数据手册

TI(德州仪器)
LinCMOS(TM) 可编程低功耗运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CDR  单运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CP  运算放大器, 单路, 1.3 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CD  运算放大器, 单路, 1.3 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLC271ID  运算放大器, 单路, 1.7 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLC271IP  运算放大器, 单路, 1.7 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLC271ACP  运算放大器, 单路, 1.7 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLC271ACD  芯片, 运算放大器, 可编程, 低功耗
TI(德州仪器)
路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS
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