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器件3D模型
¥ 2.197
TLC339IDR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
比较器
封装:
SOIC-14
描述:
TEXAS INSTRUMENTS TLC339IDR 模拟比较器, 低功耗, 4, 1 µs, 3V 至 16V, SOIC, 14 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
TLC339IDR 数据手册 (30 页)
封装尺寸
在
17 页
18 页
20 页
21 页
典型应用电路图
在
16 页
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TLC339IDR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
3.00V (min)
封装
SOIC-14
输出电流
20 mA
供电电流
0.08 mA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
功耗
950 mW
共模抑制比
84 dB
静态电流
44.0 µA
输入补偿电压
5 mV
输入偏置电流
0.005 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
950 mW
电源电压
3V ~ 16V
电源电压(Max)
16 V
电源电压(Min)
3 V
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TLC339IDR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
8.65 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
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TLC339IDR 符合标准
TLC339IDR 概述
●
TLC 系列 LinCMOS 比较器
●
### 比较器,Texas Instruments
●
Texas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。
●
尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
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TLC339
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四路微功耗 LinCMOS(TM) 比较器
TLC339
IDR
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TEXAS INSTRUMENTS TLC339IDR 模拟比较器, 低功耗, 4, 1 µs, 3V 至 16V, SOIC, 14 引脚
TLC339
MD
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TI(德州仪器)
LinCMOSE微功耗QUAD比较仪 LinCMOSE MICROPOWER QUAD COMPARATORS
TLC339
CD
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TEXAS INSTRUMENTS TLC339CD.. 模拟比较器, 四路, 微功率, 4, 1 µs, 3V 至 16V, SOIC, 14 引脚
TLC339
MDR
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四路微功耗 LinCMOS™ 比较器 14-SOIC -55 to 125
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